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SII 纳米级定位单离子注入系统
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ParcanNano 纳米级精准定位的单离子注入系统 SII
公司以全球独家专利的针尖技术为核心竞争力,技术源自于德国伊尔默瑙工业大学,致力于主动式针尖技术在微纳米结构制备和表征方面的研发,及其相关设备的产业化。
ParcanNano 百级纳米级精准定位的单离子注入系统SII 基于新型扫描针尖精准定位的离子注入系统,实现有效控制注入半导体器件的杂质种类、数量和位置。可用于基于电离杂质诱导的量子点所构建的量子信息领域,研制的设备可用于探索纳米结构器件、量子比特系统和量子信息处理器电路的开发。
公司申请的一项革命性发明专利,解决了注入离子由于晶格散射带来的位置不确定性问题,大幅减少离子注入后的扩散,颠覆性地将注入离子在晶体中位置的误差缩减到10nm以下,实现纳米级精确定位注入掺杂离子。
产品拥有美国加州伯克利国家实验室、澳大利亚墨尔本大学、德国莱比锡大学、德国波鸿大学等国际知名科研客户。
技术特点:
。精确定位定量离子注入
。锥形电场稀释和准直离子束
。横向电场形成离子闸门
应用领域:
。功能材料定位定量掺杂
。纳米尺度功能器件制备
。固态量子信息技术
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