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半导体辅助工艺 > 光刻胶-导电胶
 
电子束光刻胶 e-beam resist
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德国Allresist 电子束光刻胶(电子束抗蚀剂)(E-beam resist) 电子束正胶:PMMA 胶,PMMA/MA 聚合物, LIGA 用胶等。 电子束负胶:高分辨率电子束负胶,化学放大胶(高灵敏度电子束胶)等。

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产品详情

德国Allresist 电子束光刻胶 (e-beam resist)

 

类型

型号

特性

正胶

SX AR-P 6200

NEW!

超高分辨率电子束正胶,通过简单的工艺即可得到10nm甚至更小的结构。超高深宽比(20:1)、超高对比度(>15)。良好的耐干法刻蚀性能,是传统PMMA胶的2倍。

完全可以取代ZEP胶,经济实惠,并且采购简单,包装规格多样化。

AR-P617

PMMA/MA共聚物

适合目前各种应用需要的电子束光刻胶。灵敏度高,是普通PMMA胶的3~ 4倍,对比度亦高于PMMA。 PMMA/MA共聚物也可以和PMMA通过双层工艺实现lift-off工艺。

PMMA

PMMA(polymethyl methacrylate)是电子束曝光工艺中最常用的正性光刻胶,是由单体甲基丙烯酸甲酯(methyl methacrylate, MMA)经聚合反应而成。

PMMA胶最主要的特点是高分辨率、高对比度、低灵敏度。

PMMA胶种类齐全,不同的系列中包含了各种分子量(50K, 200K, 600K, 950K),各种溶剂(氯苯,乳酸乙酯,苯甲醚)以及各种固含量的PMMA胶,以满足各类电子束光刻的工艺要求。

PMMA胶可用于单层或双层电子束曝光、转移碳纳米管或石墨烯、绝缘层等多种工艺。

(注:工厂可根据用户的需求,定制所需分子量、固含量的PMMA胶。)

 

AR-P 6510

AR-P 6510是在PMMA的基础上开发的厚胶。 另外,厂商可以根据客户的具体需求来生产其他分子量的LIGA工艺用胶。主要用于LIGA工艺和X-Ray 曝光工艺。此类光刻胶型号齐全,厚度从10~250μm不等,图形剖面陡直。

负胶

AR-N 7520

AR-N 7500

电子束负胶,高分辨率(30nm),对比度高(> 5),良好的耐等离子刻蚀性能,可以用于混合曝光。灵敏度中等,介于AR-N 7700和PMMA之间。

AR-N 7700

电子束负胶,化学放大胶,高灵敏度,高对比度,良好的耐等离子刻蚀刻蚀性能,可以用于混合曝光。

AR-N 7720

电子束负胶,用于三维曝光工艺。 化学放大胶,高灵敏度,对比度非常小(<1),非常适合制作三维结构;也可以用于衍射光学及全息器件的加工。

X AR-N 7700/30

SX AR-N 7700/37

化学放大负胶,高分辨率,良好的耐等离子刻蚀能力,适合混合曝光。高灵敏度,灵敏度比AR-N 7700更高。

 

配套试剂
(Process chemicals)

 

类型

型号

特性

显影液

AR 300-26, -35

紫外光刻胶用 显影液

AR 300-44,-46,-47, -475

紫外/电子束光刻胶用 显影液

AR 600-50,-51,-55,-56

PMMA胶用 显影液

定影液

AR 600-60,-61

电子束光刻胶用 定影液

除胶剂

AR 300-70, -72, -73,600-70

紫外/电子束光刻胶用 除胶剂

稀释剂

AR 600-01…09

PMMA胶 稀释剂

AR 300-12

紫外/电子束光刻胶用 稀释剂

增附剂

AR 300-80, HMDS

紫外/电子束光刻胶用 增附剂

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