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离子刻蚀与沉积系统 > 英Oxford离子刻蚀/沉积/去胶机
 
PlasmaPro 80 PECVD牛津等离子沉积机
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PlasmaPro 80 PECVD牛津等离子沉积机,是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统,可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置,便于使用,且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸,是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。

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PlasmaPro 80 PECVD牛津等离子沉积机

 

 

 

PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统,可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置,便于使用,且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸,是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。

。直开式设计允许快速装卸晶圆
。出色的刻蚀控制和速率测定
。出色的晶圆温度均匀性
。晶圆最大可达200mm
。购置成本低
。符合半导体行业 S2 / S8标准

 

应用:

· 高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅,用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途

· 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀

 

系统特点:

· 小尺寸系统——易于安置

· 优化了的电极冷却——衬底温度控制

· 高导通的径向(轴对称)抽气结构—— 确保提升了工艺均匀性和速率

· 增加了<500毫秒的数据记录功能——可追溯腔室和工艺条件的历史记录

· 近距离耦合涡轮泵——提供优越的泵送速度加快气体的流动速度

· 关键部件容易触及——系统维护变得直接简单

· X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力, 并且可以实现更快更可重复的匹配

· 通过前端软件进行设备故障诊断——故障诊断速度快

· 用干涉法进行激光终点监测——在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物),或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界

· 用发射光谱(OES)实现较大样品或批量工艺的终点监测—— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化,以及用于腔室清洗的终点监测

 

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