Syskey高真空溅射系统（HV Sputter）
 
高真空溅射系统可为常见的薄膜沉积（包括金属、半导体、氧化物、氮化物和合金）提供10⁻⁷或10⁻⁹托的真空环境。全自动系统可满足各种应用需求，包括MEMS（微机电系统）、IC（集成电路 ）、RC滤波器、功率器件、光伏、光学等领域。
 

配置与优势：
 
- 灵活的基板尺寸，最大可达12英寸或200×200毫米
- 基板架加热温度最高可达800℃
- 出色的薄膜均匀性，误差小于±3%
- 最多可配备5个6英寸磁控溅射源（可选配3或4个）
- 支持射频、直流或脉冲直流，适用于非导电或导电靶材
- 可选配射频清洗和刻蚀功能
- 可沉积多层薄膜，选用特定目标材料
- 可与其他沉积系统集成