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行业资讯
40KHz与13.56MHz之间的差别
2019-07-23 16:28:04
40KHz与13.56MHz之间的差别
40KHz等离子体在能量转化方面优于13.56MHz,前者将更多的能量转化为粒子动能及化学活性,后者在等离子处理过程中产生的热量比较多,也就是其中很多能量转化为了热能,所以就降低了粒子的动能及化学活性。处理的效果就会不理想,或者是需要加特殊气体和增加处理时间等等,我们的设备很多时候用空气处理就能达到要求的效果,这是很多其他同类设备无法达到的。13.56KHz等离子体电场中的频率振荡较高,相对于40KHz射频等离子而言电子在转变方向之前的运动距离更短。这意味着在每个运动周期中能够到达器件表面的粒子数量更少,因此表面受到粒子撞击减少,从而降低了清洗的效率和效果,直接影响产品质量和产量。40KHz射频等离子体是最广泛使用和通用性好的等离子体技术,它应用于半导体、微电子、医疗和通用工业的宽广领域内。在通用工业、半导体、微电子、医疗行业,需要清洁、涂覆或化学改性的材料表面被浸入到射频等离子体的能量环境中,除了40KHz射频等离子体的强烈的化学作用外,其携带动量的粒子到达材料表面后可以物理地去除更加化学惰性的表面沉淀物(如金属氧化物和其它无机物沉淀)以及交联聚合物以达到清洁、活化目的。
 
应该选用哪种频率?
这个问题无法直接回答而需要根据具体情况具体分析。目前kHz的电源是主要趋势。kHz的设备能够处理大约90%的客户产品。
以下概述能够帮助你决定选用何种频率:
频率40 kHz
优点: 缺点:
适用于绝大多数不太昂贵的解决方案 在同样的刻蚀速率下,比13.56 MHz需要更大的功率
能够使用机械手 只有钝化半导体件才能在键合之前清洗
无条件结合能够在三种频率下达到最大均匀性 只有在一定条件下才能够适应半导体的前后处理
能够使用金属滚筒  
可以进行活性离子刻蚀(高速刻蚀速率)  
阻抗匹配不需要易受干扰的金属元器件  
有效系数约为80%  
能够装置十层或以上的电极/托盘架,以满足大产量  
非常适合半导体后期处理  
等离子聚合过程中较低的喷涂速率  
电源易于修理  
 
频率13.56 MHz
优点: 缺点:
可以进行活性离子刻蚀 相当昂贵
均匀性比2.45GHz要好 相对而言易受干扰
在同等功率下刻蚀速率比40kHz要快 阻抗匹配需要机械可移动元件
能够使用金属滚筒 高频系统包含电源和匹配
电极/托盘架可能够堆放,电极的对称性非常重要 有效系数50%
非常适合半导体前后期处理 电缆布线数目多
等离子聚合过程中喷涂速率高 电源维修费用高
 
频率2.45GHz
优点: 缺点:
费用低廉 高频系统包含电源连接器和联轴器
相对坚固耐用 电缆布线数目多
在同等功率下刻蚀速率高 石英圆盘需要冷却
有效系数约为60% 玻璃和陶瓷元件
可以进行电子回旋共振(高速刻蚀速率) 磁控管需要4500V电压
非常适合半导体前后期处理 在一定条件下才可以使用金属滚筒
等离子聚合过程中喷涂速率高 由于波长较短(12cm),等离子不均匀
电源易于修理  

 

 

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