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光刻机/微纳加工 > 中科光电紫外光刻机
 
URE-2000/34AL型光刻机
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URE-2000/34AL型光刻机,

  • 曝光分辨率: 0.8μm-1μm 

  • 套准精度:±0.8-1μm

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产品详情

URE-2000/34AL型光刻机

 

 

  • 技术参数

  • UV光源:进口LED模块

  • 曝光中心波长:365nm

  • 光源平行性:≤2º

  • 曝光分辨率: 0.8μm-1μm 

  • 最大曝光能量密度:>35mW/cm²可调

  • 照度不均匀性:≤2.5%(直径150mm范围)

  • 曝光面积:160mm*160mm

  • 光源寿命:2万小时

  • 曝光设定:定时

  • 曝光头工作模式:曝光位对准位自动切换(前后移动)

  • 套准精度:±0.8-1μm

  • 可执行曝光模式:真空接触、硬接触、压力接触、接近式,

  • 间隙设定方式:数字设定曝光间隙,可自动分离和消除间隙

  • 样片、掩模版相对移动范围:X: ±5mm, Y: ±5mm, θ=±6º

  • 掩模版找平方式:球气浮自动找平

  • 可支持掩模版尺寸: 3″×3″、4″×4″、5″×5″、7″×7″各一件

  • 标配承片台 : 2英寸、3英寸、4英寸、6英寸

  • 标准配件可兼容样片厚度:0.1-6mm,其他尺寸可定制

  • 对准系统:光学+CCD,显微倍数:放大倍率:150倍-720倍可调

  • 双物镜可调距离范围:30mm-120mm

          显微扫描范围:Y:±40mm(数字设定)

配置

设备主要由均匀照明曝光系统、对准工件台系统、电控系统、气动控制系统及辅助配套设备构成。

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