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集成等离子刻蚀和沉积的多腔系统
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Sentech 集成等离子刻蚀和沉积的多腔系统,SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂,可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。

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产品详情

Sentech 集成等离子刻蚀和沉积的多腔系统

 

高产量

等离子蚀刻和沉积腔体可以与多达两个片盒站组合,用于到200 mm晶片的高产量工艺。

 

研发

三到六个端口传送腔室可用于集成ICP等离子刻蚀机、RIE刻蚀机、原子层沉积系统、PECVD和ICPECVD沉积设备,以满足研发的要求。样品可以通过预真空室和/或真空片盒站加载。

 

SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂,可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。

 

用于研发的SENTECH多腔系统通过图形用户界面控制软件操作。强大的控制软件可用于工业领域高产量的多腔系统。

 

        

 

  

高产量的多腔系统

ICP-RIE等离子刻蚀腔体可与两个片盒站组合用于200mm晶片的高产量并行工艺。

 

用于研发的多腔系统

ICP-RIE,RIE,PECVD和ICPECVD等腔体可与预真空室,片盒站等组合使用,以满足研发的特殊要求。

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