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离子刻蚀与沉积设备 > Sentech德 等离子刻蚀与沉积机
 
SI ALD / SI PEALD 原子层沉积设备
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德国Sentech 原子层沉积设备 SI ALD / SI PEALD，在 8 英寸晶圆和玻璃基板上实现高度均匀的薄膜厚度，400/500°C 基板温度

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产品详情

德国Sentech 原子层沉积设备 SI ALD / SI PEALD

主要特点
·在 8 英寸晶圆和玻璃基板上实现高度均匀的薄膜厚度
· 高度均匀的多层堆叠的长期稳定沉积
· 真正的远程 CCP 等离子体源
 
应用特点
·在具有高纵横比的模型上进行 3D保形沉积
· 电子设备的钝化
· 多层沉积
 
技术特点
· 400/500°C 基板温度
· 300 W，13.56 MHz，CCP 等离子体源
· 4 个带截止阀的前驱体入口
· 直接绘制和起泡线
· 高达 150°C 的壁式加热
· 衬垫
· 560 m3/h 干泵
· 快速节流阀
· 最大 8 英寸晶圆
· 多达 7 条燃气管线
· TP、CCP阀、臭氧管路，实时监控可选
 
[RETURN]
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