硅晶圆金属污染含量分析不可缺少的工具
 

随着半导体IC的集成度和复杂性越来越高，目前已经达到7nm工艺， 污操物控制对于IC生产良率的贡献也越来越大， 12时晶圆也逐渐成为先进制程的主要选择， 其可喜许的金属杂质浓度也越来越低，目前已趋近1E7-1E8原子／cm2。全自动晶圆表面气相分解技术（Vapor PhaseDecomposition, VPD) ,为先进半导体IC制程中进行晶圆金属杂质分析时不可或缺的管理项目，过去所使用的全反射X射线荧光法（TRXRF）栓测也垣渐被ICPMS甚至更先进更灵敏的ICPMS/MS技术所取代。 过去采用的各种手工VPD操作步骤由于对操作者技能要求极高， 且不可避免带入人为污染， 也逐渐被全自动技术取代， 全自动VPDICPMS联机系统作为最前沿技术成为IC先进制程的主要选择。 日本IAS Inc. 是专业的半导体污染物检测技术供应商，VPD-ICPMS, CSI-ICPMS和GED

ICPMSI联机技术为其核心产品线。 Expert™ 包含了－系列VPD-ICPMSI联机型号， 按自动化和无人化操作的程度不同分为实验室型多功能的Expert Lab， 通用型Expert PS和最前沿制程生产线专用型Expert FAB,不同型号均可与不同晶牌的ICPMS实现全自动联机运行。

Expert™特点如下

HF嚣气（Vapor｝的生成方法
供给VPD处理童的HF蒸气的生成方法是使用PFA雾化器。 过去使用的发泡法（Bubbling),存在着产生之蒸气中的HF浓度， 会随时间变化的问题， 而雾化法可使氢氟酸始终保持恒定浓度， 而且有较快的蚀刻速度。

 

Expert TM的矗圄载入机， 可适应300mm(12＂） FOUP & FOSB、 200mm(8＂）SMIF 以及提供150mm(6＂）或200mm(8＂）转接架。

双毒扫瞄管Dual scan nozzle
 

SiC晶圆等属于高亲水性晶圆， 蚀刻后的常规

Si晶圆表面会呈现粗糙，此外干式蚀刻后的

晶圆上也可能有机物残留，以上各种晶圆的

表面为亲水性， 在扫描过程中扫描头很可能

无法保持扫描液（Scan Solution），从而发生

液体残留于晶圆表面回收率不佳之现象。

Expert™ 标准配置了特别的双套扫描管， 在

套管外层制造负压， 将内层扫描液保持于内

套管中，使液体不至于从套管泄漏；该设计

可扫描亲水性晶圆，这是其他设计所办不到的。
 

安全规格Safety ceificate
Expert TM符合SEMl-S2 及S8规格及欧规（CE Mark）。 标准配备各种保险装置( Interlock）、 漏水、漏气检测器， 适用于安规严格之半导体工厂生产在钱。