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半导体辅助工艺/光刻胶 > 高压氧气氛退火炉
 
高压氧气氛退火炉
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高压氧气氛退火炉,最高温度850°C,压力可达150个大气压。可用于高压晶体生长的料棒前处理,也可用于含氧晶体的高温退火处理。

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产品详情

高压氧气氛退火炉

最高温度850°C,压力可达150个大气压。可用于高压晶体生长的料棒前处理。
也可用于含氧晶体的高温退火处理。

炉体直径15mm,长度200mm,温度均匀。

多种安全防护机制,保证设备安全运行。 

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